据外媒报道，中国一家秘密实验室已经悄然组装出第一台EUV极紫外光刻系统的原型机，是通过逆向工程ASML现有的光刻机产品而来的，正处于秘密测试阶段，计划2028年试产原型芯片。
消息称，这一EUV光刻机原型是2025年初在深圳一处安保严密的设施内组装完成的，几乎覆盖了整个厂房。
这台光刻机没有采用清华大学研发的基于粒子加速器的稳态微聚束(SSMB)技术，也没有使用哈尔滨工业大学开发的放电等离子体(DPP)技术，而是和ASML Twinscan NXE系列光刻机相同的激光等离子体(LPP)技术，可产生波长为13.5纳米的极紫外光。
报道指出，中国版EUV光刻机的体积显著大于ASML同类产品，但已经具备极紫外光的生成能力，只是尚未能制造出可用芯片。中国EUV光刻机的研发团队由前ASML工程师和应届大学毕业生组成，不仅聘请了ASML中国分公司的前员工，还吸纳了ASML在美国、欧洲、中国台湾的前雇员。
关键瓶颈在于，中国仍无法复刻出ASML的高精度光学系统，甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上，更谈不上完成光刻成像。
